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急尋高人幫助,輸入保護電路問題

本人是開關電源方面的新人最近遇到點問題,特在此請教.
我的電源輸入電壓范圍為適應+24V和+48V電源輸入,電源芯片選擇寬輸入范圍LM2576HVS-ADJ(產生+12V)和LM2576HVS-3.3,焊接完調試過程中發(fā)現(xiàn),電壓輸出正常,但是輸入過壓保護電路存在一些問題,請各位指教.
輸入保護電路如下圖:

PTC是1A的正溫度系數(shù)快恢復保險絲,一旦穩(wěn)壓管超過穩(wěn)壓值56V導通,即觸發(fā)bt151,使151導通,產生短路大電流,這時快熔應該斷開,切斷電路,快熔是1A的,151正向平均電流7.5A,最大可承受100A啊,快熔應該提前切斷電源啊,不應該會燒151啊!
各位高人,保護電路應該是可以復用的啊,當我斷電重新上電之后仍然能工作才對,但是現(xiàn)在好像保護電路只能工作一次,并且是燒可控硅,是不是我的原理有問題?
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hbzjcjw
LV.10
2
2009-08-11 15:27
可以重復使用
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windysky
LV.1
3
2009-08-11 15:53
@hbzjcjw
可以重復使用
請教我的電路哪里出了問題,難道是過電壓保持的時間太長了?剛開始調試時大概59V時保護啟動,大概過了有幾秒鐘我才關的供電直流源,當我停一段時間再加直流源時(大概40V),直接保護;后來斷電用萬用表測量發(fā)現(xiàn)可控硅的A、K短路,燒毀了.
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windysky
LV.1
4
2009-08-11 16:02
朋友們都去了哪里,幫忙指導一下啊
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madboy21
LV.8
5
2009-08-11 18:46
@windysky
朋友們都去了哪里,幫忙指導一下啊
可控硅容量太小
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beiren
LV.1
6
2009-08-11 20:20
@madboy21
可控硅容量太小
客觀講,你這種方法是有很大問題的,現(xiàn)在你的可控硅容量小,所以燒可控硅,如果可控硅容量足夠,那么很容易造成前級電源故障(如果前級電源短路保護設計不理想的話).應該另想非破壞性的辦法,如果過壓切斷MOS或繼電器是不是更好一些?
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hbzjcjw
LV.10
7
2009-08-11 20:21
@beiren
客觀講,你這種方法是有很大問題的,現(xiàn)在你的可控硅容量小,所以燒可控硅,如果可控硅容量足夠,那么很容易造成前級電源故障(如果前級電源短路保護設計不理想的話).應該另想非破壞性的辦法,如果過壓切斷MOS或繼電器是不是更好一些?
時間不夠
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windysky
LV.1
8
2009-08-11 22:24
@hbzjcjw
時間不夠
hbzjcjw 大哥,能否說的詳細一點
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windysky
LV.1
9
2009-08-11 22:25
@beiren
客觀講,你這種方法是有很大問題的,現(xiàn)在你的可控硅容量小,所以燒可控硅,如果可控硅容量足夠,那么很容易造成前級電源故障(如果前級電源短路保護設計不理想的話).應該另想非破壞性的辦法,如果過壓切斷MOS或繼電器是不是更好一些?
beiren兄,說的有理,不知可不可以提供相關“過壓切斷MOS或繼電器”的電路,現(xiàn)在這個板調試階段,可能只能在這個上面做些改動完善了,以后再改進的話看能不能采用你的建議!多謝
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madboy21
LV.8
10
2009-08-11 22:27
@windysky
beiren兄,說的有理,不知可不可以提供相關“過壓切斷MOS或繼電器”的電路,現(xiàn)在這個板調試階段,可能只能在這個上面做些改動完善了,以后再改進的話看能不能采用你的建議!多謝
輸入電壓是不能太高的,要有個定數(shù),如最高60還是100,要不然什么電路都沒用.

PTC響應太慢確實不好.采用MOS控制電路相對復雜成本也高
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ta7698
LV.9
11
2009-08-12 08:17
問題出在可控硅的控制極電流太大!在控制極上串一電阻就行,或在穩(wěn)壓管上端加串一個電阻.
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windysky
LV.1
12
2009-08-12 09:47
@ta7698
問題出在可控硅的控制極電流太大!在控制極上串一電阻就行,或在穩(wěn)壓管上端加串一個電阻.
ta7698 大哥,這樣真的有效嗎?我怕再燒可控硅,已經(jīng)毀掉兩個了
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windysky
LV.1
13
2009-08-12 09:49
@madboy21
輸入電壓是不能太高的,要有個定數(shù),如最高60還是100,要不然什么電路都沒用.PTC響應太慢確實不好.采用MOS控制電路相對復雜成本也高
madboy21 最高就是60V,沒有加太高的電壓,60V就是最高了
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