沒有找到超過我的性能的產(chǎn)品，如果同行能找到，甘拜下風(fēng)。
先說主要性能：
l 驅(qū)動延時極快：典型開啟延時65ns，關(guān)閉延時40ns。
l 具有大于30A的瞬態(tài)驅(qū)動能力
l 工作占空比0－100％，臨界輸入脈沖寬度50ns。
l 內(nèi)置緩沖結(jié)構(gòu)，對驅(qū)動上升沿沒有要求。
l 具有關(guān)斷腳，反映速度<30ns。
體積小：５６ｘ２０
我將陸續(xù)說明它的實(shí)現(xiàn)方式。
曬一曬我的大功率驅(qū)動器，我認(rèn)為是世界最強(qiáng)的
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@lesonlee
先說輸入結(jié)構(gòu)。沒有采用光耦隔離結(jié)構(gòu)。光耦隔離速度慢（龜速），信號弱，還要有驅(qū)動電流、驅(qū)動速度要求，這是幾十年前的概念，壓根就沒考慮?，F(xiàn)在的許多輸出都是數(shù)字信號，何必加個光耦呢，有時還要加光耦驅(qū)動。我前面加了一級施密特門電路。輸入信號幅度滿足要求就可以了，強(qiáng)度就不做要求了，為了抗干擾輸入帶了一個５ｋ１的電阻。這樣，如果是１５V信號輸入的話，串個１０ｋ電阻就可解決。施密特門電路非常重要，因?yàn)樗€有別的作用。
最好上個原理圖，腦子比較笨，得看著圖理解比較深刻。
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@lesonlee
先說輸入結(jié)構(gòu)。沒有采用光耦隔離結(jié)構(gòu)。光耦隔離速度慢（龜速），信號弱，還要有驅(qū)動電流、驅(qū)動速度要求，這是幾十年前的概念，壓根就沒考慮?，F(xiàn)在的許多輸出都是數(shù)字信號，何必加個光耦呢，有時還要加光耦驅(qū)動。我前面加了一級施密特門電路。輸入信號幅度滿足要求就可以了，強(qiáng)度就不做要求了，為了抗干擾輸入帶了一個５ｋ１的電阻。這樣，如果是１５V信號輸入的話，串個１０ｋ電阻就可解決。施密特門電路非常重要，因?yàn)樗€有別的作用。
為達(dá)到高速驅(qū)動目的，必須顛覆現(xiàn)有的設(shè)計(jì)概念。IGBT驅(qū)動器結(jié)構(gòu)就兩部分：信號隔離和功率部分。電流保護(hù)部分暫不討論。
信號隔離部分：
為達(dá)到目的，采取了邊沿傳輸?shù)姆绞健＿呇貍鬏斢泻芏嗪锰?，比如速度快，體積小，可以集成。AD公司的iｃｏｕｐｌｅ就是采用的邊沿傳輸?shù)姆绞?，?jīng)過解碼構(gòu)成。它的脈沖可達(dá)１ｎｓ。我采用的是分立元件，沒辦法，從輸入到輸出最快也就做到１０ｎｓ。
方法是這樣的，脈沖的前、后沿各產(chǎn)生一個很短微分脈沖，經(jīng)過后級觸發(fā)器還原即可。
需要解決的問題就是信號完整性問題。即，有了開通脈沖，一定要有關(guān)閉脈沖。這里關(guān)閉脈沖是優(yōu)先的，因?yàn)樗鼱砍兜桨踩珕栴}。對應(yīng)后級的信號還原也是優(yōu)先的。甚至寧可有關(guān)閉脈沖干擾也不希望產(chǎn)生誤導(dǎo)通。
這樣前面提到的施密特就可以簡單解決這個問題。看一看最簡單的實(shí)現(xiàn)方式：
關(guān)鍵是上下兩路微分信號的選擇問題，思考問題：哪一個做開通，哪一個做關(guān)閉呢？
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信號還原。
但是還是前面的問題，采用具有優(yōu)先權(quán)功能的觸發(fā)器更好。不選擇普通的RS觸發(fā)器，可以避免出現(xiàn)重復(fù)導(dǎo)通現(xiàn)象，在信號傳輸?shù)陌踩陨霞右话焰i。D觸發(fā)器就可以具有此功能。
經(jīng)常在邏輯電路中使用S和R做RS觸發(fā)器（ａ），如果可能我建議使用（ｂ）的形式，從外功能看不出來，但R有更高的優(yōu)先級。這樣對輸入信號的要求就降低了。輸入信號原則上只取決于脈沖的前沿，跟后沿?zé)o關(guān)，提高了抗干擾能力。
這就帶來一個好處，輸入脈沖寬度沒有要求，甚至將驅(qū)動磁芯換成光耦，也可以將信號傳輸速度提高１個數(shù)量級。只用光耦的導(dǎo)通前沿來傳輸信號，可以用很強(qiáng)的大電流、短脈沖傳送信號，不僅可以更快傳輸信號，同時延長了光耦的壽命。這是這種電路的另一種實(shí)現(xiàn)方式。
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@lesonlee
信號還原。但是還是前面的問題，采用具有優(yōu)先權(quán)功能的觸發(fā)器更好。不選擇普通的RS觸發(fā)器，可以避免出現(xiàn)重復(fù)導(dǎo)通現(xiàn)象，在信號傳輸?shù)陌踩陨霞右话焰i。D觸發(fā)器就可以具有此功能。[圖片] 經(jīng)常在邏輯電路中使用S和R做RS觸發(fā)器（ａ），如果可能我建議使用（ｂ）的形式，從外功能看不出來，但R有更高的優(yōu)先級。這樣對輸入信號的要求就降低了。輸入信號原則上只取決于脈沖的前沿，跟后沿?zé)o關(guān)，提高了抗干擾能力。這就帶來一個好處，輸入脈沖寬度沒有要求，甚至將驅(qū)動磁芯換成光耦，也可以將信號傳輸速度提高１個數(shù)量級。只用光耦的導(dǎo)通前沿來傳輸信號，可以用很強(qiáng)的大電流、短脈沖傳送信號，不僅可以更快傳輸信號，同時延長了光耦的壽命。這是這種電路的另一種實(shí)現(xiàn)方式。[圖片]
不錯
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@lesonlee
信號還原。但是還是前面的問題，采用具有優(yōu)先權(quán)功能的觸發(fā)器更好。不選擇普通的RS觸發(fā)器，可以避免出現(xiàn)重復(fù)導(dǎo)通現(xiàn)象，在信號傳輸?shù)陌踩陨霞右话焰i。D觸發(fā)器就可以具有此功能。[圖片] 經(jīng)常在邏輯電路中使用S和R做RS觸發(fā)器（ａ），如果可能我建議使用（ｂ）的形式，從外功能看不出來，但R有更高的優(yōu)先級。這樣對輸入信號的要求就降低了。輸入信號原則上只取決于脈沖的前沿，跟后沿?zé)o關(guān)，提高了抗干擾能力。這就帶來一個好處，輸入脈沖寬度沒有要求，甚至將驅(qū)動磁芯換成光耦，也可以將信號傳輸速度提高１個數(shù)量級。只用光耦的導(dǎo)通前沿來傳輸信號，可以用很強(qiáng)的大電流、短脈沖傳送信號，不僅可以更快傳輸信號，同時延長了光耦的壽命。這是這種電路的另一種實(shí)現(xiàn)方式。[圖片]
用這個分立元件做的信號傳輸，能夠做到信號最小延時１０ｎｓ，做一個５M以下的數(shù)字信號隔離傳送器不成問題。就是管子和磁芯太熱，開個玩笑。如果集成一下，還是可行的。
今天到這里，明天接著說。
各位大師幫忙頂一下。
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@lesonlee
為達(dá)到高速驅(qū)動目的，必須顛覆現(xiàn)有的設(shè)計(jì)概念。IGBT驅(qū)動器結(jié)構(gòu)就兩部分：信號隔離和功率部分。電流保護(hù)部分暫不討論。信號隔離部分：為達(dá)到目的，采取了邊沿傳輸?shù)姆绞?。邊沿傳輸有很多好處，比如速度快，體積小，可以集成。AD公司的iｃｏｕｐｌｅ就是采用的邊沿傳輸?shù)姆绞?，?jīng)過解碼構(gòu)成。它的脈沖可達(dá)１ｎｓ。我采用的是分立元件，沒辦法，從輸入到輸出最快也就做到１０ｎｓ。方法是這樣的，脈沖的前、后沿各產(chǎn)生一個很短微分脈沖，經(jīng)過后級觸發(fā)器還原即可。需要解決的問題就是信號完整性問題。即，有了開通脈沖，一定要有關(guān)閉脈沖。這里關(guān)閉脈沖是優(yōu)先的，因?yàn)樗鼱砍兜桨踩珕栴}。對應(yīng)后級的信號還原也是優(yōu)先的。甚至寧可有關(guān)閉脈沖干擾也不希望產(chǎn)生誤導(dǎo)通。這樣前面提到的施密特就可以簡單解決這個問題?？匆豢醋詈唵蔚膶?shí)現(xiàn)方式：[圖片] 關(guān)鍵是上下兩路微分信號的選擇問題，思考問題：哪一個做開通，哪一個做關(guān)閉呢？
You method is good, however, I have a better solution.
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，看情況。實(shí)際應(yīng)用用不到３０A，那得多大IGBT。３００A的IGBT驅(qū)動狀態(tài)跟驅(qū)動０.１u電容差不多，下圖是驅(qū)動０.１u電容，串聯(lián)電阻１ｏｈｍ的電流波形：
接著說實(shí)現(xiàn)方法吧。
首先，功率驅(qū)動關(guān)閉是優(yōu)先的，實(shí)際系統(tǒng)的動態(tài)反應(yīng)如何，保護(hù)如何，可靠與否就取決于關(guān)閉。開通反應(yīng)慢一點(diǎn)一般不是主要問題。如果大功率能夠?qū)崿F(xiàn)過流瞬間關(guān)閉IGBT，誰也不會選擇緩關(guān)閉一說。緩關(guān)閉產(chǎn)生的原因正是由于大功率驅(qū)動電流反應(yīng)不靈敏，后期需要在已經(jīng)產(chǎn)生極大短路電流的情況下，不得已而采取的技術(shù)。所以，快速關(guān)閉至關(guān)重要。
實(shí)現(xiàn)本身并不困難，關(guān)鍵是巧妙利用現(xiàn)有條件，加上元器件選擇、布線來實(shí)現(xiàn)。在２０V實(shí)現(xiàn)十幾安培，１００ｎｓ的驅(qū)動芯片比較少見，但可以找到。我這里需要大于２０V的驅(qū)動，延時３０ｎｓ左右，大于３０A輸出的驅(qū)動就不好找了。同時，要滿足成本要求。
直接上圖：
電路并不新鮮，用在這里卻有奇效。為實(shí)現(xiàn)MOFETN，MOFETP正常工作，減小工作時的直通損耗，需要在MOSFETN，MOSFETP轉(zhuǎn)換時關(guān)閉。前級的NPN，PNP適合驅(qū)動容性負(fù)載，至于同時關(guān)閉MOS，NPN、PNP在關(guān)閉瞬間本來就存在延時，就利用此延時實(shí)現(xiàn)。
一般信號輸入為單信號輸入，當(dāng)進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換時，必然產(chǎn)生延時。器件的有源開通是最快的，在這里采用有源的互補(bǔ)輸入的方式。互補(bǔ)輸入信號根本不用考慮，前面提到的觸發(fā)器本身就是互補(bǔ)輸出的。這樣就順理成章加快了驅(qū)動速度。
仔細(xì)觀察，可以看出，電路一路反應(yīng)快，一路反應(yīng)慢，快的一路用來做關(guān)閉。如果對開通要求不是很高，合理布局，適當(dāng)增加一點(diǎn)微分，此電路就可以使用了。關(guān)閉信號就可以滿足要求。
我最先使用的原型就是用此電路，開通１８０ｎｓ，關(guān)閉１３０ｎｓ，這里關(guān)閉不快的原因就是電路布局不合理。高速工作，１ｃｍ的導(dǎo)線延時都是致命的。要想達(dá)到最佳狀態(tài)，電路的優(yōu)化必不可少。
這就需要各位大師自己思考了。
此電路如果可以適當(dāng)集成，應(yīng)該可以提高到到２０ｎｓ以內(nèi)。
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@lesonlee
實(shí)際應(yīng)用用不到３０A，那得多大IGBT。３００A的IGBT驅(qū)動狀態(tài)跟驅(qū)動０.１u電容差不多，下圖是驅(qū)動０.１u電容，串聯(lián)電阻１ｏｈｍ的電流波形：[圖片] 接著說實(shí)現(xiàn)方法吧。首先，功率驅(qū)動關(guān)閉是優(yōu)先的，實(shí)際系統(tǒng)的動態(tài)反應(yīng)如何，保護(hù)如何，可靠與否就取決于關(guān)閉。開通反應(yīng)慢一點(diǎn)一般不是主要問題。如果大功率能夠?qū)崿F(xiàn)過流瞬間關(guān)閉IGBT，誰也不會選擇緩關(guān)閉一說。緩關(guān)閉產(chǎn)生的原因正是由于大功率驅(qū)動電流反應(yīng)不靈敏，后期需要在已經(jīng)產(chǎn)生極大短路電流的情況下，不得已而采取的技術(shù)。所以，快速關(guān)閉至關(guān)重要。實(shí)現(xiàn)本身并不困難，關(guān)鍵是巧妙利用現(xiàn)有條件，加上元器件選擇、布線來實(shí)現(xiàn)。在２０V實(shí)現(xiàn)十幾安培，１００ｎｓ的驅(qū)動芯片比較少見，但可以找到。我這里需要大于２０V的驅(qū)動，延時３０ｎｓ左右，大于３０A輸出的驅(qū)動就不好找了。同時，要滿足成本要求。直接上圖： [圖片] 電路并不新鮮，用在這里卻有奇效。為實(shí)現(xiàn)MOFETN，MOFETP正常工作，減小工作時的直通損耗，需要在MOSFETN，MOSFETP轉(zhuǎn)換時關(guān)閉。前級的NPN，PNP適合驅(qū)動容性負(fù)載，至于同時關(guān)閉MOS，NPN、PNP在關(guān)閉瞬間本來就存在延時，就利用此延時實(shí)現(xiàn)。一般信號輸入為單信號輸入，當(dāng)進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換時，必然產(chǎn)生延時。器件的有源開通是最快的，在這里采用有源的互補(bǔ)輸入的方式?；パa(bǔ)輸入信號根本不用考慮，前面提到的觸發(fā)器本身就是互補(bǔ)輸出的。這樣就順理成章加快了驅(qū)動速度。仔細(xì)觀察，可以看出，電路一路反應(yīng)快，一路反應(yīng)慢，快的一路用來做關(guān)閉。如果對開通要求不是很高，合理布局，適當(dāng)增加一點(diǎn)微分，此電路就可以使用了。關(guān)閉信號就可以滿足要求。 我最先使用的原型就是用此電路，開通１８０ｎｓ，關(guān)閉１３０ｎｓ，這里關(guān)閉不快的原因就是電路布局不合理。高速工作，１ｃｍ的導(dǎo)線延時都是致命的。要想達(dá)到最佳狀態(tài)，電路的優(yōu)化必不可少。這就需要各位大師自己思考了。此電路如果可以適當(dāng)集成，應(yīng)該可以提高到到２０ｎｓ以內(nèi)。
如果想要圖紙進(jìn)行研究直接與我聯(lián)系。
18810202132，13501028460 李
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@lesonlee
實(shí)際應(yīng)用用不到３０A，那得多大IGBT。３００A的IGBT驅(qū)動狀態(tài)跟驅(qū)動０.１u電容差不多，下圖是驅(qū)動０.１u電容，串聯(lián)電阻１ｏｈｍ的電流波形：[圖片] 接著說實(shí)現(xiàn)方法吧。首先，功率驅(qū)動關(guān)閉是優(yōu)先的，實(shí)際系統(tǒng)的動態(tài)反應(yīng)如何，保護(hù)如何，可靠與否就取決于關(guān)閉。開通反應(yīng)慢一點(diǎn)一般不是主要問題。如果大功率能夠?qū)崿F(xiàn)過流瞬間關(guān)閉IGBT，誰也不會選擇緩關(guān)閉一說。緩關(guān)閉產(chǎn)生的原因正是由于大功率驅(qū)動電流反應(yīng)不靈敏，后期需要在已經(jīng)產(chǎn)生極大短路電流的情況下，不得已而采取的技術(shù)。所以，快速關(guān)閉至關(guān)重要。實(shí)現(xiàn)本身并不困難，關(guān)鍵是巧妙利用現(xiàn)有條件，加上元器件選擇、布線來實(shí)現(xiàn)。在２０V實(shí)現(xiàn)十幾安培，１００ｎｓ的驅(qū)動芯片比較少見，但可以找到。我這里需要大于２０V的驅(qū)動，延時３０ｎｓ左右，大于３０A輸出的驅(qū)動就不好找了。同時，要滿足成本要求。直接上圖： [圖片] 電路并不新鮮，用在這里卻有奇效。為實(shí)現(xiàn)MOFETN，MOFETP正常工作，減小工作時的直通損耗，需要在MOSFETN，MOSFETP轉(zhuǎn)換時關(guān)閉。前級的NPN，PNP適合驅(qū)動容性負(fù)載，至于同時關(guān)閉MOS，NPN、PNP在關(guān)閉瞬間本來就存在延時，就利用此延時實(shí)現(xiàn)。一般信號輸入為單信號輸入，當(dāng)進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換時，必然產(chǎn)生延時。器件的有源開通是最快的，在這里采用有源的互補(bǔ)輸入的方式?；パa(bǔ)輸入信號根本不用考慮，前面提到的觸發(fā)器本身就是互補(bǔ)輸出的。這樣就順理成章加快了驅(qū)動速度。仔細(xì)觀察，可以看出，電路一路反應(yīng)快，一路反應(yīng)慢，快的一路用來做關(guān)閉。如果對開通要求不是很高，合理布局，適當(dāng)增加一點(diǎn)微分，此電路就可以使用了。關(guān)閉信號就可以滿足要求。 我最先使用的原型就是用此電路，開通１８０ｎｓ，關(guān)閉１３０ｎｓ，這里關(guān)閉不快的原因就是電路布局不合理。高速工作，１ｃｍ的導(dǎo)線延時都是致命的。要想達(dá)到最佳狀態(tài)，電路的優(yōu)化必不可少。這就需要各位大師自己思考了。此電路如果可以適當(dāng)集成，應(yīng)該可以提高到到２０ｎｓ以內(nèi)。
30A的柵驅(qū)動能力，至少可以驅(qū)動額定電流1000A以上的IGBT，這樣大的IGBT自身的開關(guān)延時一般有幾百納秒到幾微秒，采用幾十納秒的高速驅(qū)動毫無意義。
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@世界真奇妙
30A的柵驅(qū)動能力，至少可以驅(qū)動額定電流1000A以上的IGBT，這樣大的IGBT自身的開關(guān)延時一般有幾百納秒到幾微秒，采用幾十納秒的高速驅(qū)動毫無意義。
請問，什么條件下測的？
30A只是表示它的能力而已，真正用到的也就十幾A。
IGBT很多理論都是以前低速器件的產(chǎn)物，有些可以重新研究一下了。
高速驅(qū)動目的主要是：1.保護(hù)需要，2.系統(tǒng)穩(wěn)定需要
還有，它肯定損耗小，才可以做怎么強(qiáng)。損耗小總是有好處吧。我最早開發(fā)它的目的就是為滿足高頻損耗小的目的。
現(xiàn)在IGBT限制應(yīng)用在20k，主要是關(guān)閉損耗大。如果大功率器件零流諧振工作，遠(yuǎn)可以超50k。大功率諧振電源的小型化的一個案子：300A的IGBT諧振工作到50k，不是一般的IGBT驅(qū)動器可以承受的，我這個就是干這個用的。
至于對保護(hù)的好處就不用多說了。
它很便宜，大批價格跟57962差不多，驅(qū)動MOSFET也可以。是一款大小通吃的驅(qū)動器。
它所采用的技術(shù)，適合集成化，可以集成到芯片。同時，是國內(nèi)自己的技術(shù)，不受國外約束。國內(nèi)的驅(qū)動器基本都是抄襲，可以賣到國外嗎？
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@lesonlee
請問，什么條件下測的？30A只是表示它的能力而已，真正用到的也就十幾A。IGBT很多理論都是以前低速器件的產(chǎn)物，有些可以重新研究一下了。高速驅(qū)動目的主要是：1.保護(hù)需要，2.系統(tǒng)穩(wěn)定需要還有，它肯定損耗小，才可以做怎么強(qiáng)。損耗小總是有好處吧。我最早開發(fā)它的目的就是為滿足高頻損耗小的目的。現(xiàn)在IGBT限制應(yīng)用在20k，主要是關(guān)閉損耗大。如果大功率器件零流諧振工作，遠(yuǎn)可以超50k。大功率諧振電源的小型化的一個案子：300A的IGBT諧振工作到50k，不是一般的IGBT驅(qū)動器可以承受的，我這個就是干這個用的。至于對保護(hù)的好處就不用多說了。它很便宜，大批價格跟57962差不多，驅(qū)動MOSFET也可以。是一款大小通吃的驅(qū)動器。它所采用的技術(shù)，適合集成化，可以集成到芯片。同時，是國內(nèi)自己的技術(shù)，不受國外約束。國內(nèi)的驅(qū)動器基本都是抄襲，可以賣到國外嗎？
1. 每個IGBT的開關(guān)速度·都有4個參數(shù)，開通延時時間，開通時電流上升時間，關(guān)斷延時時間，關(guān)斷時電流下降時間，這4個時間在IGBT的規(guī)格書中都有，測試條件也有。
2. 57962有負(fù)載短路保護(hù)功能，你的沒有，不能替代。
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@lesonlee
看過您的帖子，請問一下，如果設(shè)置電流保護(hù)點(diǎn)稍微低一點(diǎn)，檢測到過流后瞬間關(guān)閉。是不是保護(hù)更好一些呢？找不到瞬態(tài)關(guān)閉的驅(qū)動器吧？[圖片]
IGBT電流保護(hù)分2種情況
1. 短路保護(hù)，IGBT輸出直接接負(fù)載（如：變頻器輸出直接接電機(jī)），嚴(yán)格地講，這叫短路保護(hù)，不叫過流保護(hù)，一般用檢測IGBT的CE壓降來判斷，IGBT允許短路的極限時間為10微秒，并且不允許在短時間內(nèi)重復(fù)發(fā)生?？梢?7962類的驅(qū)動器做保護(hù)。發(fā)生短路時，IGBT必須軟關(guān)斷，以避免過高的C極關(guān)斷尖峰電壓。
2. 過流保護(hù)，IGBT不直接接負(fù)載，負(fù)載短路不會引起IGBT舜時嚴(yán)重過流，不能用檢測EC壓降來判斷是否過流（因?yàn)檫@樣檢測到的電流誤差很大），不可以使用57962類的驅(qū)動器做過流保護(hù)。過流檢測應(yīng)該使用其他方法（如電阻取樣），根據(jù)實(shí)際過流的情況和抗干擾的需要，設(shè)定保護(hù)動作時間。
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@世界真奇妙
IGBT電流保護(hù)分2種情況1. 短路保護(hù)，IGBT輸出直接接負(fù)載（如：變頻器輸出直接接電機(jī)），嚴(yán)格地講，這叫短路保護(hù)，不叫過流保護(hù)，一般用檢測IGBT的CE壓降來判斷，IGBT允許短路的極限時間為10微秒，并且不允許在短時間內(nèi)重復(fù)發(fā)生。可以57962類的驅(qū)動器做保護(hù)。發(fā)生短路時，IGBT必須軟關(guān)斷，以避免過高的C極關(guān)斷尖峰電壓。2. 過流保護(hù)，IGBT不直接接負(fù)載，負(fù)載短路不會引起IGBT舜時嚴(yán)重過流，不能用檢測EC壓降來判斷是否過流（因?yàn)檫@樣檢測到的電流誤差很大），不可以使用57962類的驅(qū)動器做過流保護(hù)。過流檢測應(yīng)該使用其他方法（如電阻取樣），根據(jù)實(shí)際過流的情況和抗干擾的需要，設(shè)定保護(hù)動作時間。
看過你以前的帖子，你還沒明白我的意思。
正如你所說，短路保護(hù)主要指直接接負(fù)載的情況。如果是600V直接短路，暫時不考慮IGBT本身的電流上升率，假設(shè)IGBT電流上升率無窮大。這樣短路后主要取決于線路電感的上升率。線路電感在這種情況下能是多少呢？如果是你設(shè)計(jì)，為了安全，系統(tǒng)將怎樣設(shè)計(jì)呢？
如果是我，肯定第一步會限制它的電流上升率。對600a模塊，600a/us夠快了吧，短路電流設(shè)定為2倍，這樣在短路發(fā)生后我可以在不到3倍電流輸出的情況下關(guān)閉了模塊。這樣，是不是比發(fā)生完全短路，按照您以前所說的5倍電流好多了？電壓過沖是不是也好多了？系統(tǒng)一般都有放過壓的措施，也不復(fù)雜，這樣比緩關(guān)閉是不更好？
也就是說，短路保護(hù)、過流保護(hù)完全可以統(tǒng)一，都可以統(tǒng)稱為過流保護(hù)。在我看來，不過是多一級保護(hù)而已。
IGBT模塊在不同電壓下，飽和電流是不同的；不同廠家耐受力也是不同的；不同系統(tǒng)耐受力也是不同的；有的公司可以在額定電壓下耐受10倍短路電流，比如三菱。有些廠家根本就不給這個指標(biāo)。因此緩關(guān)閉的關(guān)閉條件正如你是參考infinion的模塊，那西門子的，IXYS的，三菱的，等等的條件都滿足嗎？
所以快速關(guān)閉只是增加了驅(qū)動的功能而已，至于你愿意選擇怎樣的短路保護(hù)，你大可以在它外圍電路做文章，我都可以滿足要求，是不是？
感謝討論，我現(xiàn)在也沒搞明白，緩關(guān)閉是沒有辦法的辦法，是在以前低速器件的條件下的解決方法，許多人把它奉為經(jīng)典。根據(jù)我所看到的、用到的、沒看到這種方法在現(xiàn)有條件下有什么特別的好處。
希望我是錯的，對你的關(guān)注很感謝。
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@世界真奇妙
1. 每個IGBT的開關(guān)速度·都有4個參數(shù)，開通延時時間，開通時電流上升時間，關(guān)斷延時時間，關(guān)斷時電流下降時間，這4個時間在IGBT的規(guī)格書中都有，測試條件也有。2. 57962有負(fù)載短路保護(hù)功能，你的沒有，不能替代。
忘說了，有帶電源，帶短路保護(hù)功能的。體積都是一樣。
也有模塊化的，驅(qū)動、保護(hù)、電源分開的，版本不同。這樣設(shè)計(jì)的原因就是可以設(shè)計(jì)成不同類型的保護(hù)模塊。
由于是共漏輸出，很多人不知怎樣加入緩關(guān)閉保護(hù)，鉗位保護(hù)，我早就解決了。沒有公布的原因是，既然可以這么快關(guān)閉，還有什么意義呢？最多申請幾個發(fā)明專利而已。
不帶保護(hù)的模塊都預(yù)留了擴(kuò)展接口，就是為了應(yīng)付客戶各種保護(hù)功能要求的。
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@lesonlee
看過你以前的帖子，你還沒明白我的意思。正如你所說，短路保護(hù)主要指直接接負(fù)載的情況。如果是600V直接短路，暫時不考慮IGBT本身的電流上升率，假設(shè)IGBT電流上升率無窮大。這樣短路后主要取決于線路電感的上升率。線路電感在這種情況下能是多少呢？如果是你設(shè)計(jì)，為了安全，系統(tǒng)將怎樣設(shè)計(jì)呢？如果是我，肯定第一步會限制它的電流上升率。對600a模塊，600a/us夠快了吧，短路電流設(shè)定為2倍，這樣在短路發(fā)生后我可以在不到3倍電流輸出的情況下關(guān)閉了模塊。這樣，是不是比發(fā)生完全短路，按照您以前所說的5倍電流好多了？電壓過沖是不是也好多了？系統(tǒng)一般都有放過壓的措施，也不復(fù)雜，這樣比緩關(guān)閉是不更好？也就是說，短路保護(hù)、過流保護(hù)完全可以統(tǒng)一，都可以統(tǒng)稱為過流保護(hù)。在我看來，不過是多一級保護(hù)而已。IGBT模塊在不同電壓下，飽和電流是不同的；不同廠家耐受力也是不同的；不同系統(tǒng)耐受力也是不同的；有的公司可以在額定電壓下耐受10倍短路電流，比如三菱。有些廠家根本就不給這個指標(biāo)。因此緩關(guān)閉的關(guān)閉條件正如你是參考infinion的模塊，那西門子的，IXYS的，三菱的，等等的條件都滿足嗎？所以快速關(guān)閉只是增加了驅(qū)動的功能而已，至于你愿意選擇怎樣的短路保護(hù)，你大可以在它外圍電路做文章，我都可以滿足要求，是不是？感謝討論，我現(xiàn)在也沒搞明白，緩關(guān)閉是沒有辦法的辦法，是在以前低速器件的條件下的解決方法，許多人把它奉為經(jīng)典。根據(jù)我所看到的、用到的、沒看到這種方法在現(xiàn)有條件下有什么特別的好處。希望我是錯的，對你的關(guān)注很感謝。
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