我們直接進(jìn)入主題，先看圖（MOS管的等效模型）：

圖1就如上圖所示，MOS就不單純是一個(gè)MOS了，Cds,Cgd,Cgs就是MOS的寄生電容，在制造的時(shí)候寄生電容是與生俱來(lái)的，由結(jié)構(gòu)特性所決定，無(wú)法消除。在圖1中輸入電容Cin=Cgs+Cgd輸出電容Cout=Cds+Cgd其中，米勒電容也叫反向傳輸后電容，即CRSS=Cgd  CRSS:反向傳輸電容。而Cdg不是恒定不變的，它會(huì)隨著S極和D極之間的電壓變化而變化。米勒效應(yīng)的定義：       指的是MOS管G極和D極之間的CRSS(反向傳輸電容)在開(kāi)關(guān)的作用下引起的瞬態(tài)變化的現(xiàn)象。以NMOS為例，如下圖所示：

VG驅(qū)動(dòng)MOS管時(shí)，可以簡(jiǎn)單的看成給輸入電容充放電的一個(gè)過(guò)程，如下波形圖所示：

米勒效應(yīng)圖接下來(lái)，我們分階段來(lái)分析米勒效應(yīng)這個(gè)波形。t0~t1階段，電流Ig給寄生電容Cgs進(jìn)行充電，注意，t1之前MOS還是處于關(guān)閉狀態(tài)，也就是這個(gè)時(shí)刻的電壓未能達(dá)到MOS管的導(dǎo)通閾值Vg(th)，直到升到t1時(shí)刻Vgs才上升到Vg(th)。

t1~t2階段，此階段Ig依舊給Cgs充電，MOS管開(kāi)始導(dǎo)通，Id電流開(kāi)始穩(wěn)步上升。

t2~t3階段，這個(gè)階段MOS管開(kāi)始進(jìn)入米勒平臺(tái)時(shí)期，這個(gè)時(shí)期Ig開(kāi)始轉(zhuǎn)移到給Cgd進(jìn)行充電，此時(shí)Id最大，Vds開(kāi)始下降，Vgs電壓維持不變。

t3~t4階段，這個(gè)階段Vgs會(huì)持續(xù)上升到MOS完全導(dǎo)通，而米勒電容Cgd也是這個(gè)時(shí)期充滿。如何減少米勒效應(yīng)：危害：MOS管米勒效應(yīng)產(chǎn)生的米勒平臺(tái)，會(huì)直接影響驅(qū)動(dòng)電壓和MOS開(kāi)通階段的時(shí)間，也會(huì)影響MOS截止階段驅(qū)動(dòng)電壓的下降時(shí)間，加長(zhǎng)整個(gè)開(kāi)關(guān)時(shí)間，增加損耗，降低整體效率。

措施1：減小驅(qū)動(dòng)電阻和提高驅(qū)動(dòng)電壓，本質(zhì)上就是提高驅(qū)動(dòng)電流，加快電容的充電時(shí)間。

措施2：優(yōu)化PCB布線，盡量縮短驅(qū)動(dòng)信號(hào)線的長(zhǎng)度，加大寬度，以減少寄生電感。

措施3：選擇Cdg較小的MOS管。措施4：使用零電壓開(kāi)關(guān)技術(shù)。好了，今天就先到這吧！祝大伙周末愉快！