首先我們看一下一般的bldc驅(qū)動(dòng)電路的基本電路架構(gòu)如下圖所示

當(dāng)IN輸入低電平時(shí)，HO輸出低電平，LO輸出高電平，上橋斷開，下橋?qū)?；?dāng)IN輸入高電平，HO輸出高電平，VS輸出低電平，VB和HO內(nèi)部是連在一起的。

Vcc=12V，VM=24V（即up to 600V處接24V），MOS管的一般開啟電壓值閾值Vth=4V。

第一階段：首先給IN和SD對(duì)應(yīng)的控制信號(hào)，使HO和LO通過(guò)內(nèi)部控制電路分別輸出低電平和高電平。此時(shí)外部H橋的高端MOS截止，低端MOS導(dǎo)通。VCC通過(guò)自舉二極管對(duì)自舉電容充電，使電容兩端的壓差為Vcc=12V（忽略自舉二極管兩端壓降）。

第二階段：目前市面上的blcd芯片基本都自帶死區(qū)控制，此階段由芯片內(nèi)部自動(dòng)產(chǎn)生，HO和LO輸出均為低電平，此時(shí)高低端MOS管均截止，如下圖所示為某款芯片的死區(qū)時(shí)間。

第三階段：通過(guò)IN和SD使左側(cè)的內(nèi)部MOS管如下圖所示導(dǎo)通。由于自舉電容兩端的電壓不能突變，此時(shí)驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部上管MOS打開，自舉電容上的電壓（12V）便可以加到外部高端MOS的柵極和源極上，使得外部高端MOS導(dǎo)通。外部高端MOS導(dǎo)通之后，此時(shí)高端MOS的源極對(duì)地電壓≈VM=24V，自舉電容兩端電壓12V，因此外部高端MOS柵極對(duì)地電壓≈VM+VCC=36V，因此高端MOS可以正常導(dǎo)通。

更加細(xì)節(jié)的展示

注意：因?yàn)榇藭r(shí)電容在持續(xù)放電，壓差會(huì)逐漸減小。最后，電容正極對(duì)地電壓（即高端MOS柵極對(duì)地電壓）會(huì)降到Vcc，那么高端MOS的柵源電壓便≈Vcc-VM=12V-7.4V=4.6V < Vth=6V，高端MOS仍然會(huì)關(guān)斷。

因此想要使高端MOS連續(xù)導(dǎo)通，必須令自舉電容不斷充放電，即循環(huán)工作在上述的三個(gè)階段（高低端MOS處于輪流導(dǎo)通的狀態(tài)，控制信號(hào)輸入PWM即可），才能保證高端MOS導(dǎo)通。自舉二極管主要是用來(lái)當(dāng)電容放電時(shí)，防止回流到VCC，損壞電路。

補(bǔ)充說(shuō)明：在自舉電容選擇時(shí)，其耐壓值需大于Vcc并留有一定余量。而自舉電容的容值選擇需要一定的計(jì)算。一般來(lái)說(shuō)，PWM的輸入頻率越大（即電容充放電頻率），電容所需容值越小。