上一篇文章講了MOS管的米勒效應(yīng)的罪魁禍?zhǔn)?-Cgd，并對Cgd的影響做了定量的推導(dǎo)，今天我們再和大家一起聊一聊，如何基于TINA-TI軟件進行MOS管米勒效應(yīng)的仿真。

為了驗證MOS管的米勒效應(yīng)，我們需要簡單搭建一個MOS管的基本開關(guān)電路，如下圖所示。仿真軟件依然使用TINA-TI。

說明下，這里僅僅是為了驗證米勒效應(yīng)，電路設(shè)計做了簡化，沒有直流偏置，也沒有溫度補償。如果你不方便搭建，也可以在文末獲取我這邊搭建好的TINA工程原文件。

下一步，設(shè)置示波器，如下圖。Mode選擇“Single”單次出發(fā)，Source選擇“VF1”，觸發(fā)邊沿選擇“上升沿”觸發(fā)，時間基準(zhǔn)設(shè)置為“100ns/Div”，其他觸發(fā)電平和位置也請參考下圖。

VF1：MOS管的柵極驅(qū)動信號；VF2：MOS管的漏極輸出信號。

設(shè)置完示波器，我們可以開始抓起波形。先點擊“Run”，然后在原理圖上點擊“開關(guān)”按鈕，進行觸發(fā)。一定要按照這個順序，否則啥也抓不到。

不出意外，示波器會捕捉到如下波形。下圖中箭頭所指的地方即為米勒效應(yīng)所產(chǎn)生的米勒平臺。

臭名昭著的米勒效應(yīng)，就這樣仿真出來了。是不是很方便呀？

本文所使用的工程文件，已加載至文末附件，可在文末免費獲取。

怎么樣？一個簡短的問題，給出的回答可淺可深。我的助攻只能到這里，能否晉升到陸地神仙境，一劍開天門，就看你的造化了！

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