新版PCB到，焊接好外圍零件和MOS、電感，加了前后各一個(gè)電解，準(zhǔn)備測試波形。如果波形OK，那就裝上所有零件開始加載。

一陣忙碌后，上12V，輸出15.2V  1A，各部分波形正常。VGS波形也直上直下，沒有出現(xiàn)米勒平臺(tái)。驅(qū)動(dòng)電阻是5.1歐姆0805?？磥砜梢匝b上所有零件了。裝電容，背面加錫，裝散熱片。8顆MOS，兩顆一組并聯(lián)，沒用市面上灰白色的那種矽膠片，太厚，0.4mm。用20mm寬的金色高溫膠帶在散熱片上貼一條。膠帶厚度0.1mm。厚度對(duì)于熱傳導(dǎo)是很致命的。貼好膠帶，MOS背面略涂一層薄薄的導(dǎo)熱硅脂。能多薄就多薄。涂好放在膠帶上正確的位置，用7字型壓板壓緊每一顆MOS。事實(shí)證明這樣的散熱效果是在絕緣的前提下非常理想的了。后期熱成像的圖像顯示溫度和散熱片只相差了5攝氏度。

組裝完成后接好電子負(fù)載和可調(diào)電源，示波器接好在電感前后和輸出端。上電，輸出OK。慢慢加載，波形如PDF中變化一致。加載到15.2V5A，老化10分鐘，用熱成像觀看有無發(fā)熱異常。通常有故障、或者設(shè)計(jì)缺陷的時(shí)候，在這樣輕載的時(shí)候都會(huì)發(fā)現(xiàn)發(fā)熱異常的零件。巡視一圈，一切正常。MOS溫度35度。環(huán)境溫度30度。板子上溫度最高的是主芯片，55度。個(gè)人猜想是因?yàn)樾酒瑑?nèi)部包含了強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)8顆100多A的MOS依然是那么從容。繼續(xù)加載10A---20A---30A。一切正常。30A的時(shí)候，電壓依然堅(jiān)挺在15.2V。輸入12V41A。整體效率超過92％?？磥黼娐愤€是有改進(jìn)的余地。這時(shí)候測量溫度，八顆MOS由于在同一塊散熱片上，溫差并不明顯，均在65—68度。有個(gè)50毫米的12V0.2A小風(fēng)扇吹著。電感就在散熱片后面，溫度55度，估計(jì)是被散熱片烤的。電容幾乎沒溫升，都是環(huán)境熱輻射導(dǎo)致電容溫度在33—38度。距離散熱片近的更熱一些。主芯片依然是55度沒變化。一切都向好的方向發(fā)展，看起來很順利的時(shí)候通常都會(huì)有個(gè)坑在等著。

因?yàn)檫@個(gè)拓?fù)涫巧祲航Y(jié)構(gòu)，所以看看升壓沒問題，就調(diào)高了輸入電壓，一點(diǎn)點(diǎn)調(diào)。負(fù)載15.2V 電流固定在10A。輸入在接近14V的時(shí)候，輸出電壓抖了一下，電感前后的波形有了變化。檢測四個(gè)臂都有了波形。之前升壓的時(shí)候只有兩個(gè)臂是有波形的。證明了主芯片進(jìn)入了升降壓的混合模式。

繼續(xù)調(diào)高輸入電壓，當(dāng)達(dá)到18V時(shí)，進(jìn)入了降壓模式。帶載10A的情況下，電感波形很干凈，沒有畸變。繼續(xù)提高輸入電壓，當(dāng)加到25V時(shí)出現(xiàn)了異響，電感波形混亂，正要保存波形的時(shí)候芯片掛了。瞬間沒有輸出。輸入沒有短路，電流在10毫安附近。斷電測量芯片的各個(gè)腳對(duì)地電阻，沒有發(fā)現(xiàn)短路，再次上電12V，輸出正常。

剛剛的異常情況讓我瞬間懵了，芯片正常，零件正常，25V異響？12V卻正常？再試一次，大不了再燒幾十塊錢的事。這次負(fù)載調(diào)到1A，輸入限流到2A。輸入電壓慢慢上升，跟上一次一樣，在14---18V進(jìn)入混合狀態(tài)，18V以后變?yōu)榧兘祲耗Ｊ?。?5V還是吱一聲保護(hù)了。故障了，沒有任何零件損壞，只能有兩個(gè)可能：1. 芯片保護(hù)了。2. 外圍零件有問題。

首先芯片是可以工作在60V的。PDF是這么說的，至少也能在55V工作。在25V出現(xiàn)問題明顯不是保護(hù)。我的保護(hù)電壓范圍也設(shè)置在10—55V,輸入電壓檢測引腳的電壓在范圍內(nèi)，并沒有因輸入電壓過高而保護(hù)。所以芯片保護(hù)的說法不成立，至少不是過壓保護(hù)。

其次第二點(diǎn)，實(shí)際測量外圍無損壞零件，這又讓思維陷入怪圈。反復(fù)閱讀PDF幾個(gè)小時(shí)后，發(fā)現(xiàn)了一行小字：在關(guān)于C-SLOPE 的計(jì)算公式下面有一句話的說明：A smaller slope capacitor results in larger slope signal which is better fornoise immunity in the transition region (VIN~VOUT)翻譯了下，大意是這個(gè)斜坡補(bǔ)償電容越大，整個(gè)輸入輸出的電壓范圍內(nèi)會(huì)越穩(wěn)定，這只是我的理解，可能并非原意。這個(gè)電容計(jì)算的是470P，實(shí)際安裝的是220P的。因?yàn)?20P能還原電感上的電流波形。而470P就失去了波形的尖峰，變成略軟的三角波了。在220P的時(shí)候，各處波形都非常OK。

自以為三角波很正，沒雜波就OK了。沒想到坑在這里。

換上470P的電容，再次測試，果然正常了。從10—35V輸入都正常，看來是這個(gè)電容的問題。測量C-SLOPE電容上的波形，三角波在小的時(shí)候?yàn)V的像貓耳朵一樣。電流30A的時(shí)候波形正常了。是個(gè)三角形，看的到角。繼續(xù)加大輸入電壓，38V就異響了，但是沒停機(jī)。估計(jì)這個(gè)電容還需要加大？以改善輸入輸出的穩(wěn)定性？看PDF里的公式，這個(gè)電容的確和輸入電壓的范圍有關(guān)，但計(jì)算很復(fù)雜。這個(gè)表格也只能參考。于是秉持自己動(dòng)手豐衣足食的精神，一點(diǎn)點(diǎn)的改動(dòng)C-SLOPE。不斷的加貼39P的電容，最終得到的值是在10---55V輸入范圍內(nèi)正常工作的電容量為680P。雖然在輕載的時(shí)候波形不再是三角波，但無所謂。看來芯片對(duì)電流的檢測是很寬容的。

至此，整個(gè)輸入范圍和輸出都能滿足我的要求。也測試過50A輸出，MOS的溫度達(dá)到了85攝氏度。經(jīng)過細(xì)節(jié)的多次改動(dòng)，整機(jī)效率達(dá)到了最高94％以上。效率最低的時(shí)候是在最高電壓輸入的時(shí)候，52V輸入，15.2V輸出，50A。效率只有92％以上。

四個(gè)臂中，降壓時(shí)，輸入的第一組MOS最熱。這組MOS由電容泵供電驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)VGS電壓是6.5V—7V。想再通過增加MOS并聯(lián)的方式來提高效率恐怕是行不通的。主芯片已經(jīng)很累了，驅(qū)動(dòng)8顆大電流MOS需要很大力氣的。

下一版我打算改為專用芯片+隔離變壓器驅(qū)動(dòng)，讓主芯片能降低一些溫度，工作會(huì)更可靠一些。輸入和輸出電壓電流都用差分放大后給單片機(jī)做個(gè)顯示功能。散熱片用熱管，面板用PCB畫一個(gè)打樣，外殼用個(gè)淘寶上購買的小型電腦機(jī)箱就OK了。

理想很豐滿，現(xiàn)實(shí)很骨感。想的太美又掉坑里了。下回再說是什么坑。

續(xù)上回。