電容是一種可以存儲一定電荷量的元器件，當(dāng)電荷在電場中受到力移動時，如果兩個導(dǎo)體之間有介質(zhì)材料阻礙電荷移動，從而使得電荷累積在導(dǎo)體上造成電荷的累計存儲，則存儲的電荷量稱為電容。

當(dāng)兩個極板受到電壓時，此時介質(zhì)中的正負(fù)電荷往兩極移動，同時束縛住加在兩個極板上的電壓，隨著加在兩個極板電壓越來越高，移動向兩極的電荷也越來越多，電容存儲的電荷量也就越多，用公式Q=CU表示。

去耦的作用是給不需要的噪聲信號提供低阻抗回路。

電容的去耦其實可以從多個角度來考慮： 1.分壓角度，對于特定頻率信號，當(dāng)后端阻抗變低時，分得的電壓更低，形成濾波； 2.電容充放電角度，在不考慮寄生參數(shù)的情況下，當(dāng)原始信號的頻率很高時，對應(yīng)此時周期很小，而電容的充電時間是3-5RC，信號周期越短，電容電壓上升的越慢，后端通常該頻率的電壓越小，該信號的頻率越難通過該電容到達(dá)后級，形成濾波。

耦合是指將前級信號盡可能無損耗的加到后級電路中，同時去掉不需要的信號，例如耦合電容就是在將交流信號從前級耦合到后級的同時，隔開前級電路中的直流成分。

電容等效為引線導(dǎo)體損耗R1，寄生電感L，等效電容C，介質(zhì)損耗R2，通常R2較小，近似看作L和C的串聯(lián)，當(dāng)L和C阻抗形成共軛時，L和C形成諧振，此時電路呈現(xiàn)純電阻電路，電路整體阻抗達(dá)到最小。我們基于LTSPICE軟件對該性能進(jìn)行仿真：

選取電容為10uf，2.5nH，此時諧振頻率為1MHz (    

           )  ,頻率為諧振頻率時1MHz，電壓峰峰值為200uv。

當(dāng)頻率高于諧振頻率時，分別為2MHz,20MHz，此時電壓峰峰值為4mV,60mV。

當(dāng)頻率低于諧振頻率時，分別為10KHz,1KHz，此時電壓峰峰值為320mV,1.6V。

總結(jié)：可以發(fā)現(xiàn)，當(dāng)頻率處于LC諧振頻率點附近時，原始頻率的峰峰值可以由原來的2V下降到200uv。 注：在不考慮電容的諧振效應(yīng)情況下，電容濾波的本質(zhì)是充放電，當(dāng)原始信號的頻率很高時，對應(yīng)此時周期很小，而電容的充電時間是3-5RC，信號周期越短，電容電壓上升的越慢，電壓數(shù)值越小，該信號的頻率越難通過該電容到達(dá)后級，形成濾波。