開關(guān)模式電源 (SMPS) 中共模 EMI 的主要來源是耦合到開關(guān)器件的寄生電容。 MOSFET 漏極電壓通過各種寄生電容驅(qū)動(dòng)容性電流。 這些容性電流的一部分流入連接到大地的中性線并觀察為共模噪聲。 通過在繞組之間（初級(jí)繞組側(cè)或次級(jí)繞組側(cè)，或兩者）使用靜電隔離屏蔽，共模信號(hào)有效地“短路”到地并降低了電容電流。 如果設(shè)計(jì)得當(dāng)，這種屏蔽可以顯著降低傳導(dǎo)和輻射發(fā)射和敏感性。 通過使用這種技術(shù)，可以減小 EMI 濾波器的尺寸。 使用銅箔或緊密纏繞的電線可以輕松實(shí)現(xiàn)屏蔽。 屏蔽層應(yīng)虛擬接地至靜止點(diǎn)，例如初級(jí)側(cè)直流鏈路、初級(jí)接地或次級(jí)接地。

圖 14 顯示了一個(gè)屏蔽示例，它允許移除通常用于降低共模 EMI 的 Y 電容器。 可以看出，為了消除寄生電容的耦合，初級(jí)繞組的底部和頂部都使用了屏蔽。 圖 15 還顯示了詳細(xì)的屏蔽結(jié)構(gòu)。

Shield B 

圖 14. 移除 Y 電容器的屏蔽示例

圖 15. 移除 Y 電容器的屏蔽方法