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DCM 反激電源的初級(jí)側(cè)控制

在非連續(xù)導(dǎo)通模式 (DCM) 下運(yùn)行的隔離式反激電源的初級(jí)側(cè)控制器可以使用初級(jí)側(cè)繞組來(lái)感測(cè)和調(diào)節(jié)輸出電壓,如圖 1 所示。感測(cè)繞組提供開(kāi)關(guān)反饋電壓 VFB, 當(dāng)輸出整流器導(dǎo)通時(shí),在時(shí)間 TFB 期間門(mén)控到電容器充放電電路。 當(dāng) VFB 大于所需的調(diào)節(jié)值 VREF 時(shí),電容器放電。 當(dāng) VFB 小于 VREF 時(shí),電容器充電。 TFB 末端電容器上的電壓決定了驅(qū)動(dòng)初級(jí)開(kāi)關(guān)的脈寬調(diào)制器 (PWM) 的占空比。 為了穩(wěn)定運(yùn)行和快速瞬態(tài)響應(yīng),當(dāng) VFB 大于 VREF 時(shí),電容器必須放電至恒定的復(fù)位值 VRESET。

功能描述:

圖 1 顯示,當(dāng)開(kāi)關(guān) S1 在開(kāi)關(guān)周期 TS 內(nèi)的時(shí)間 TON 期間傳導(dǎo)電流 ID 時(shí),反饋電壓 VFB 為負(fù)。 VFB為正,代表輸出整流器D1傳導(dǎo)次級(jí)電流IS時(shí)TFB時(shí)間段內(nèi)的輸出電壓VO。 隨著次級(jí)電流 IS 從初始峰值減小,VFB 在時(shí)間 TFB 期間通常具有減小的值。 直流輸出電壓 VO 上的交流紋波電壓通常由電流 IS 和電容器 CO 的等效串聯(lián)電阻 (ESR) 主導(dǎo)。

圖 2 是一個(gè)示例門(mén)控、充放電和 PWM 電路。 當(dāng)反饋電壓VFB小于或大于VREF時(shí),開(kāi)關(guān)電流源I1和I2分別對(duì)電容器C1進(jìn)行充電和放電。 將 C1 上的電壓與斜坡電壓 VSAW 進(jìn)行比較,以產(chǎn)生用于初級(jí)開(kāi)關(guān) S1 的脈寬調(diào)制輸出電壓 VDRIVE。

圖 3 更詳細(xì)地顯示了圖 2 的波形,重點(diǎn)是相關(guān)的時(shí)序關(guān)系。

圖 1. 隔離式反激電源在非連續(xù)導(dǎo)通模式下運(yùn)行的示例,該電源使用帶有電容器充放電電路的控制器來(lái)處理來(lái)自以初級(jí)側(cè)為參考的繞組的反饋信號(hào)。 脈寬調(diào)制器以與從電容器充放電電路接收的信號(hào)相對(duì)應(yīng)的占空比驅(qū)動(dòng)初級(jí)開(kāi)關(guān)S1。

圖 2. 用于反激式電源的電容器充放電電路和脈寬調(diào)制器示例。 反饋電壓 VFB 的正部分與參考電壓 VREF 進(jìn)行比較,以柵極電流源 I1 和 I2 對(duì)電容器 C1 進(jìn)行充電和放電。 電容器 C1 上的電壓 VPWM 與斜坡電壓 VSAW 進(jìn)行比較以產(chǎn)生脈寬調(diào)制驅(qū)動(dòng)電壓 VDRIVE。

圖 3. 波形顯示了來(lái)自圖 2 的示例控制電路的信號(hào)的時(shí)序關(guān)系。在反饋間隔 TFB 期間降低反饋電壓 VFB 與代表輸出電壓 VO 的所需值的參考值 VREF 交叉。 選擇圖 2 電路中的電流源 I2 以在電流源 I2 為 C1 充電之前將電容器 C1 放電至恒定復(fù)位值 VRESET。 在一些示例中,VRESET 的值可以是零伏。

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  • dy-icXFVvIG 2021-12-14 15:32
    不亞于看了一篇高質(zhì)量論文
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  • dy-FHED9mtt 2021-12-02 16:32
    對(duì)我很有幫助
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