關(guān)于MOS管的米勒效應(yīng)，前面已經(jīng)發(fā)了3篇：(點(diǎn)擊標(biāo)題可訪問(wèn))
關(guān)于MOS管的米勒效應(yīng)的疑問(wèn)--求實(shí)錘
其中在《關(guān)于MOS管的米勒效應(yīng)的疑問(wèn)--求實(shí)錘》文章中提到，在進(jìn)行米勒效應(yīng)仿真時(shí)，發(fā)現(xiàn)在米勒平臺(tái)期間漏極電流Id持續(xù)上升的問(wèn)題，和米勒平臺(tái)的理論有些沖突。針對(duì)該問(wèn)題，還開(kāi)展了答題送書(shū)的活動(dòng)。之前說(shuō)“讓子彈飛一會(huì)兒”，現(xiàn)在子彈該命中目標(biāo)了。?下面我們重點(diǎn)討論下這個(gè)問(wèn)題。
1、一道問(wèn)題
首先，我們重溫下前面遇到的問(wèn)題：如下圖搭建仿真模型，仿真發(fā)現(xiàn)：Id在米勒平臺(tái)期間仍在上升。在米勒平臺(tái)結(jié)束時(shí)，漏極電流才達(dá)到最大值。另外在B站上找了老外的實(shí)測(cè)波形，與仿真結(jié)果一致。更換仿真軟件，仿真結(jié)果也一致。但這與米勒效應(yīng)的理論沖突。
①仿真模型：
②仿真結(jié)果
③米勒平臺(tái)的理論波形（上面波形與此矛盾）
2、回答前文中的問(wèn)題
所以在《關(guān)于MOS管的米勒效應(yīng)的疑問(wèn)--求實(shí)錘》(點(diǎn)擊標(biāo)題可直接訪問(wèn))文章中提到的問(wèn)題：如果MOS管處于米勒平臺(tái)的區(qū)間內(nèi)，MOS管工作在哪個(gè)區(qū)？
A：恒流區(qū)；
B：可變變阻區(qū)；
C：部分在恒流區(qū)，部分在可變電阻區(qū)；
D：截止區(qū)；
MOS管處在米勒平臺(tái)期間，此時(shí)Vgs>Vth，Vds>Vgs-Vth。進(jìn)一步講，Vgd=Vgs-Vds<Vth，MOS管處于預(yù)夾斷狀態(tài)，注意此時(shí)導(dǎo)電溝道并沒(méi)有被真的夾斷，只是夾斷縫隙變長(zhǎng)，依然有電流Id存在。Vds增加的部分主要用于克服溝道的電阻，Id幾乎不變。此時(shí)Id幾乎僅僅取決于Vgs。
很明顯，這道題的答案應(yīng)該選擇A，MOS管處于飽和區(qū)(恒流區(qū))。在米勒平臺(tái)期間，Vgs不變，相應(yīng)Id也應(yīng)該保持不變。所以，上面仿真出的結(jié)果與上述理論存在明顯沖突。
難道，仿真有問(wèn)題？
3、仿真有問(wèn)題？
結(jié)論：仿真是沒(méi)有問(wèn)題的。
那問(wèn)題出在哪里？
問(wèn)題出在負(fù)載上。在此仿真電路模型中所使用的負(fù)載為阻性負(fù)載。
阻性負(fù)載有什么特點(diǎn)？電壓和電流是同時(shí)變化的。在開(kāi)關(guān)過(guò)程中，阻性負(fù)載兩端不存在電流和電壓變化的先后關(guān)系，是同相位變化的。
Id在平臺(tái)期上升，可以用歐姆定律來(lái)解析，因?yàn)樵诿桌掌脚_(tái)期間Vds在下降，Id=(Vdd-Vds)/Rload。而Vds下降是因?yàn)镸OS在米勒平臺(tái)期間在處于飽和狀態(tài)，內(nèi)部導(dǎo)電溝道狀態(tài)在變化，進(jìn)而使得MOS管的導(dǎo)通阻抗在變化。
怎么樣？一個(gè)簡(jiǎn)短的問(wèn)題，給出的回答可淺可深。我的助攻只能到這里，能否晉升到陸地神仙境，一劍開(kāi)天門，就看你的造化了！
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